意法半导体推出全新VIPowerTM MOSFET功率管

mosfet意法半导体功率管低导通电阻电压范围连续电流插入损耗

摘要：意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS（ON）的VI—PowerTM MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流，并且插入损耗低，将动作快速的过载保护的优势延续到额定功率更高的应用产品。

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