美国俄亥俄州立大学高频通信系统电子迁移率电力电子应用物理研究人员氧化镓宽禁带半导体材料
摘要：下一代高能效电力电子、高频通信系统和固态照明均依赖于宽禁带半导体材料。宽禁带材料电路的功率密度可以比硅电路更高，功耗更低。应用物理快报（Applied Physics Letters）报道的新实验中，美国俄亥俄州立大学、空军研究实验室等单位的研究人员已经表明，氧化镓（Ga2O3）宽禁带半导体可以设计成纳米级结构，使电子在晶体结构内移动得更快，也使得Ga2O3有望成为高频通信系统和高能效电力电子等应用领域的潜在材料。
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