打破技术垄断 比亚迪自主研发碳化硅功率MOS器件

功率mos器件碳化硅材料技术垄断自主研发第三代半导体材料新能源汽车高科技领域击穿场强

摘要：碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作,具有极低的开关损耗和高频工作能力,减小模块的体积和重量,显著提高系统的效率,有利于节能降耗,广泛应用于风光发电、光伏逆变、UPS储能、新能源汽车、航天军工等高科技领域。

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