研究人员sic低成本制程功率mosfet功率晶体管生产半导体元件
摘要：为了降低SiC的制造成本,美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE制程,并搭配TIX-Fab实现低成本的SiC功率MOSFET。碳化硅（SiC）,这种宽能隙的半导体元件可用于打造更优质的电晶体,取代当今的硅功率晶体管,并与二极管共同搭配,提供最低温度、最高频率的功率元件。SiC晶体管所产生的热也比硅功率晶体管更低30%,然而,它的成本至今仍然比硅更高5倍。
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