微波功率器件高线性gan器件技术三维鳍半导体行业半导体器件
摘要：中国电科（CETC）第五十五研究所（NEDI）4月12日报道，该所重点实验室张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊《IEEEElectronDeviceLettersLk的论文《High-LinearityA1GaN／GaNFinFETsforMicrowavePowerApplica—tions》即《三维鳍式GaN高线性微波功率器件》被国际半导体行业著名杂志《SemiconductorToday〉〉进行专栏报道，受到国内外业界关注。
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