安森美半导体进一步扩展IGBT系列推出基于第三代超场截止技术的1200V器件

安森美半导体igbt超场性能水平第三代领先行业高级总监太阳能逆变器不间断电源额定电流

摘要：安森美半导体（ON Semiconductor）推出新系列绝缘栅双极晶体管（IGBT）,采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平,以符合现代开关应用的严格要求。

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