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长电科技推出低内阻、小尺寸锂电MOSFET系列新品

作者:江安庆长电科技范荣焊接工艺整体成本长电位芯片级封装芯片制造封装形式中芯国际电子产品

摘要:<正>2015年5月22日,深圳长电科技有限公司召开2015年度锂电MOSFET系列新品会,宣布推出DFN2×3、CSP系列新品。深圳长电科技总经理杨国江、副总经理范荣定出席了本次会,业界相关企业和人士参加了会。新推出的DFN2×3封装产品具有相比DFN3×3封装产品,具有尺寸更小、有利缩减PCB宽度的优势,另外还具有贴片工艺简单、整体成本低、不易破裂、焊接工艺成熟和管脚排列简单,PCB设计布线简洁等五大优势,该产品拥有CJCD2003、CJCD2004、CJCD2005、CJCD2006、CJCD2007等多种型号。CPS产品虽然存在易碎、贴片工艺复杂和电教需要人工及成本等方面的不

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