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Vishay的Si7655DN-20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖最佳产品奖

作者:郑畅ednchina2013vishay最佳产品奖导通电阻技术门类读者投票相关产品获奖

摘要:<正>2013年12月20日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN-20 V P沟道GenⅢ功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖电源器件和模块类最佳产品奖。EDN China创新奖于2005年引入国内,以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设计上所取得的成就。今年,共有82家公司的144款产品角逐9个技术门类的奖项。EDN China的在线读者投票选出73款提名产品,再由技术专家

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