瑞萨利用氧化物半导体形成p型FET,为应用于CMOS开辟新路

作者：郑冬冬氧化物半导体fet多层布线漏极通态电流电源接口半导体器件逆变器掩模器件尺寸

摘要：<正>氧化物半导体将以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化。由于氧化物半导体具备可在低温下制备、性能高且透明的特点,因此有望广泛应用。不过,氧化物半导体存在难以形成p型晶体管的课题。实际上,作为氧化物半导体的典型代表已经实用化的In-Ga-Zn-O晶体管全都是n型。因此,需要由n型

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社