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日本的SiC半导体研究信息

作者:吴琪乐半导体研究sic宽禁带半导体微波器件半导体元件禁带器件模拟新日铁器件制作中央研究所

摘要:<正>SiC是一种宽禁带半导体,据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同,可以从~2.4变化到~3.3 eV。它的应用范围很广,比如高功率和高温半导体元件,微波器件,短波长发光元件等。从世界上的研究热度来看,最有可能实现也最有应用前景的当属高功率器件。在这方面来说,SiC相对于Si器件的优点主要是它可以用在高功率和高温领域。

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