作者：赵佶vp沟道mosfetvishay导通电阻栅极驱动首款负载开关蜂窝电话电池运行充电电路移动计算设备
摘要：<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用3.3 mm×3.3mm封装以实现在4.5 V栅极驱动下4.8 mΩ最大导通电阻的20 V P沟道MOSFET—Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本
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