作者：吴琪乐半导体结构意大利米兰科技中心可卡瑞士联邦单体结构直接成像编外讲师材料焊接航空航天
摘要：<正>瑞士和意大利科学家在3月30日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破,成功在硅上集成了50微米厚锗,新结构几乎完美无缺,最新研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。来自瑞士联邦理工学院、瑞士电子学与微电子科技中心(CESM)、意大利米兰理工大学以及米兰—比可卡大学的科学家们携手找到了解决办法。在研究中,他们并没有使用连续一层锗,而是用硅和嫁接在其上的单体结构的锗制成
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