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RFMD推出新款超高效率4G LTE功率放大器

作者:郑冬冬lterfmd复合半导体全球领导者技术设计数据传输速率电流消耗线性性功率管理电池寿命

摘要:<正>日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布扩展其超高效率功率放大器(PA)产品系列,新加入六款4G LTE功率放大器。RFMD的超高效率功率放大器重新建立了智能手机和以数据为中心的其

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半导体信息

《半导体信息》是一本有较高学术价值的双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

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