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美国开发出砷化铟二维半导体量子膜

作者:沈熙磊二维半导体砷化铟美国物理学家量子光学量子限制效应带状结构电学性质二维晶体半导体材料物理基础

摘要:<正>据美国物理学家组织网11月14日报道,美国加利福尼亚大学伯克利分校研究人员开发出一种全新的二维半导体,这是一种由砷化铟制造的"量子膜",具

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半导体信息

《半导体信息》是一本有较高学术价值的双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

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