HI,欢迎来到学术之家,发表咨询:400-888-7501  订阅咨询:400-888-7502  股权代码  102064
0

Vishay推出新款n沟道功率MOSFET

作者:江兴vishay低导通电阻快速开关开关速度栅源固态继电器逻辑电平santa封盖电锤

摘要:<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60 V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用,这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

半导体信息

《半导体信息》是一本有较高学术价值的双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

杂志详情