第三代半导体碳化硅项目落户中关村海淀园

作者：郑冬冬海淀园第三代半导体美国罗格斯大学租赁协议

摘要：<正>经过近一年的推进工作,美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅(SiC)外延及器件产业化项目,目前已确定落户中关村海淀园。该项目中试及初期生产场地最终确定在海淀东升科技园,目前已签订租赁协议。该项目致力于开拓第三代半导体碳化硅的全球市场,建设碳化硅半导体

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