瑞萨将上市SiC功率半导体 2011年10月开始量产二极管

作者：郑冬冬功率半导体sic功率因数校正通信基站日立制作所三菱电机功率元件器件设计逆变器主管技师

摘要：<正>瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600 V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)"RJS6005TDPP"将从2011年3月底开始样品供货。除了空调等白色家电外,预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正)

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