作者：陈裕权宽带放大器sic放大器输出vdmos结温有源器件倍频程基板性能比
摘要：<正>美国Aethercomm公司开发出采用SiC技术的一种新的高功率宽带放大器。SiC基放大器的性能比GaAs、LDMOS和VDMOS放大器的要好。SiC器件的最大结温为225℃,这就可使放大器基板温度达到850℃,同时不降低有源器件的平均无故障工作时间(MTBF)。SiC放大器的效率比其它常规放大器的要高,在倍频程带宽内,其效率比GaAs、LDMOS和VDMOS放大器平均要高出 10-15%。SiC放大器输出三阶截取点(OIP3)要高3-5 dB,线性化不提高。
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