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f_T为152 GHz的AlGaN/GaN HFET

作者:孙再吉alganghz电流增益场效应管栅长异质结构截止频率情报通信势垒层

摘要:<正>据《Jpn.J.Appl.Phys》2005年第16期报道,日本情报通信研究中心成功研制了毫米波大功率GaN异质结场效应管。研究小组在蓝宝石衬底上通过RF-MBE生长了高Al组分和具有超薄Al- GaN势垒层的AlGaN/GaN异质结构,使其获得很大的二维电子气浓度。有效地抑制了沟道阻抗,栅长为60 nm的短栅器件,电流增益截止频率fT为152 GHz,最大振荡频率fmax为173 GHz。

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