作者：陈裕权phemtghz高功率放大器无线基站制造工艺环境应用管芯工作电压
摘要：<正>TriQuint Semiconductor公司宣布开发出两个系列的十种分立功率 PHEMT器件,用于航天、数字无线电通信和无线基站所需的各种放大器。上述功率PHEMT器件采用了TriQunit公司的0.35μm功率PHEMT制造工艺。这些PHEMT器件的功率密度超过1 W/mm栅周长,它们很适用于L-Ku波段高功率放大器。 TGF2021系列器件的栅周长为1-12 mm、适用于X波段内功率高至12 W
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