作者：熊述元系统级封装通孔多层布线反应离子刻蚀硅衬底基板感应耦合连接区面阵中间层
摘要：<正>最近,日本公司发表了制成带有通孔的硅衬底基板的结果。在该结果中,使用硅作为系统级封装的中间层,这层硅的上表面,有多层铜/聚酰亚胺互连布线;硅层有通孔,可供下表面与外部电路板的面阵连接。上层中的铜线宽5微米,间距5微米; 多层布线之间通孔20微米,连接区30微米。硅层通孔的直径为10-300微米,硅层厚度170-300微米,最细通孔孔径为10微米,孔深要达到170微米。硅衬底基片上的通孔制作要使用感应耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)工艺在硅层上打孔,然后采用背面减薄,露出通孔。孔刻出后,对硅片进行热氧化,生长800纳
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