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英特尔半导体新工艺电漏降千倍

作者:章从福纳米工艺市场调查公司能将波尔

摘要:<正>据国外媒体报道,英特尔将对外公布一项晶体管新技术,即与该公司当前标准工艺相比,采用新型超低电流的纳米工艺的晶体管电流泄漏已降低1000倍左右。英特尔最近已将晶体管长度由原先的90纳米缩短为65纳米,从而可使单一

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半导体信息

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