日本东北大学使用导电高分子薄膜开发出电化学晶体管

作者：章从福导电高分子日本东北大学电化学氧化还原聚噻吩驱动原理物质科学电子领域疏水基截止状态有机晶体

摘要：<正>由日本东北大学多元物质科学研究所教授宫下德治等人组成的研究小组, 利用Langmuir-Blodgett(LB)法研制出了数10 nm厚的导电高分子 (polythoiphene,聚噻吩)薄膜,使用它设计并试制了驱动原理采用电化学氧化还原反应的晶体管。试制出的晶体管在1.2 V电压下工作,导通截止比为2000。

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