作者：章从福金属栅nec研发资源全硅发展规划硅栅钉扎pinning界面缺陷
摘要：<正>富士通计划在2006年制造同时采用高k介质和金属栅的低功耗器件,这大约比发展规划提前一年。富士通的先进LSI研发主管 Toshihiro Sugii说:"多晶硅只能在一代或两代中和高k介质一起使用,所以将研发资源投
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