TSMC 65 nm工艺技术新突破

作者：章从福逻辑器件工艺技术tsmc65nm批产品技术生成存储单元单元面积单元的

摘要：<正>TSMC近日宣布其最新的65 nm Nexsys技术,可以使得SOC设计者在制造逻辑器件时,芯片上的器件密度较90 nm技术增加一倍,相当于单片12英寸晶圆上可以集成超过750 B个晶体管。据了解,TSMC将在年底推出利用该技术的第一批产品。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社