东芝寻找冷却技术来降低器件功耗

作者：章从福浸没式光刻批量生产冷却技术套刻寄生电阻掩膜电源电压金属栅介质薄膜工艺集成

摘要：<正>东芝计划在这个月或者下个月开始批量生产65 nm高性能器件,接下来在明年生产65 nm的低功耗器件,然后将在2007年初开始45 nm器件的生产。东芝希望在45 nm时采用ArF浸没式光刻技术,可能会以某种方式将其延

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