作者：刘广荣半导体制造工艺封装尺寸模拟器件公司adiicmos性能水平设计成本半导体工艺电源电压双极型
摘要：<正>美国模拟器件公司近日了一种创新的半导体制造工艺ICMOS,它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,它使诸如工业自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同,按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC 能承受高达30 V电源电压,同时能提供突破的性能水平,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
