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侧向功率半导体器件

作者:羽冬功率半导体器件初创公司双极型硅晶圆cambridge工艺技术首款击穿电压

摘要:<正>英国初创公司Cambridge Semiconductor在2004年旧金山召开的国际电子器件会 (IEDM)上推出一种侧向功率半导体器件,其技术基于MEMS工艺技术,被称为SON (Silicon-on-Nothing)。这种侧向功率半导体器件是一种最快的高压侧向绝缘门双极型晶体

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半导体信息

《半导体信息》是一本有较高学术价值的双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

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