飞兆半导体公司推出一种新型双路N-MOSFET器件FDC6000NZ

作者：章从福fdc6000nz功率开关飞兆半导体锂离子电池占位面积热性稳态电流耗散功率移动通信设备

摘要：<正>该器件组合了飞兆的Power Trench MOSFET硅技术和SuperSOT-6 FLMP封装。器件功率开关的小尺寸(高度小于0.8 mm)、小占位面积(最大为9.0 mm2)的封装能给锂离子电池盒保护提供严格的电性能和热性能。FDC6000NZ的耗散功率为1.6 W,最大的稳态电流

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