韩国三星电子开发3维晶体管技术

作者：孙再吉韩国三星电子半导体器件日经微器件电流量流通面积圆片迭层

摘要：<正>据《日经微器件》2004年第9期报道,韩国三星电子近日开发了用于50 nm以下存储器的新型半导体器件。该技术是3维晶体管技术的"多层沟道晶体管技术"、"突起型晶体管技术"。这些技术可采用复数沟道,是晶体管的立体化技术。目前,存储器的晶体管只是在单层

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