意法半导体非易失性存储器开发取得进展

作者：江兴意法半导体非易失性存储器读写速度潜在性能耐用性换相存储单元纵向集成晶形薄型

摘要：<正> 意法半导体宣布新型存储器开发取得重大进展,新产品被称为换相存储器(PCM),其潜在性能优于闪存,优点包括更快的读写速度、更高的耐用性,以及向单个存储地址写入的能力。据称这项技术的内在灵活性高于目前正在应用中的其它任何非易失性存储器技术。

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