作者：孙再吉gan半导体器件mesfet场效应管输出功率功率密度异质结高频功率二维电子气
摘要：<正> Ⅲ族氮化物器件开发初期主要是使用无掺杂n型GaN层的MESFET,其后将目光转为具有二维电子气的异质结场效应管(HFET)。目前频率在数GHz～10GHz器件的输出功率已达几十w～100W(输出功率密度:～10W/mm);几十GHz的频率下也能达到几W级的高输出功率。这是GaAs器件无法实现的高频功率水平。图是GaN FET与GaAs FET的比较。
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