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AMI和Soitec联合开发绝缘体上Ge晶片

作者:陈裕权联合开发amigesoitec应用材料公司外延膜淀积切割技术战略协议技术整合

摘要:<正> 应用材料公司(AMI)与Soitec公司签订了一份战略协议,联合开发先进的绝缘体上锗(Ge)工艺以及有关的关键Ge基工艺,意在提高45nm以上的晶体管性能。他们将把 Soitec公司的灵巧切割技术及所设计的衬底技术同应用材料公司外延设备的先进外延淀积技术整合在一些。这项专门技术就是淀积Ge外延膜,从100%的锗膜到实际上的任意Ge/Si组合,用以开发Ge外延膜,进而制造绝缘体上锗晶片。

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