东芝计划在2007年采用55纳米生产闪存

作者：章从福纳米工艺toshibanand光刻技术

摘要：<正> 日本东芝(Toshiba)日前表示,计划在2007年开始采用55纳米工艺生产NAND闪存。该公司表示,预期NAND闪存市场年增长30%,2007年销售额将从2003年的35亿美元左右增长至110亿美元。到2004年第三季度,东芝计划推出一款16GbNAND闪存,在一个封装中容纳四个4Gb裸片。

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