Toshiba公司推出半导体行业首个4Gb单片MLC NAND闪存

作者：章从福nandtoshibamlcnand闪存闪存卡存储单元设计方案控制系统数据段数字家电编程时间

摘要：<正> Toshiba公司推出半导体行业首个4Gb单片多层单元(MLC)NAND闪存。这个4Gb单片多层单元NAND闪存采用90nm工艺。TC58NVG 2D4BFTOO的容量是Toshiba公司现有最大的单片NAND闪存的两倍,它将生产更高容量的闪存卡,支持各种应用。

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