作者：刘广荣nmcmos技术imec缩小版纳米电子研究中心门极电气性能氧化层厚度结深副总裁
摘要：<正> 飞利浦和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。这种65nm技术基于平面90nm bulk CMOS技术缩小版。器件具有45nm门极长
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