SiC晶片的非破坏性分析

作者：陈裕权sic非破坏性分析圆片研究基金会南卡罗来纳晶体生长

摘要：<正> Competitive Technologies公司与南卡罗来纳大学研究基金会签订一项独特的协议,用一种新方法描述SiC晶片的缺陷。南卡罗来纳大学开发的这门新技术快速、非破坏性且成本低。这项技术可用于圆片级缺陷的映像,并可表征各种类型晶片的特性,易于定位和映像

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