IBM开发功耗降低80％的新型SiGe晶体管

作者：孙再吉sigeibm超薄型半导体芯片器件研究大型计算机运算速度通信设备

摘要：<正> 据《Semiconductor FPD World》2003年第12期报道,美国IBM公司开发了超薄型SiGe双极晶体管(HBT)。该HBT与原技术相比,半导体芯片性能提高4倍以上,而功耗却降低了80%。该器件新的设计手段是在超薄型SOI圆片上制作SiGe双极芯片。图1是在SOI圆

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