作者：周慧alganghzmm功率密度外延结构缓冲层势垒层加里技术运用利亚
摘要：<正> 通过对X波段A1GaN/GaN HEMT的大量研究,目前人们已得到大于10W/mm的功率密度。另外,有关方面还努力将A1GaN/GaN技术运用于更高的频段中。如Ka波段卫星通信和LMDS。运用TriQuint Semiconductor公司的工艺以及加里佛利亚大学在SiC上生长A1-GaN/GaN结构的方法,制造出了35GHz下AIGaN/GaN功率密度达4w/mm的器件。该器件外延结构由一个200nm AIN层,一个2μm非掺杂GaN缓冲层以及一个23
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