作者：刘广荣单晶硅片膜合成磁控溅射二硫化铁硫化温度硫化反应硫粉科技开发抽真空石英管
摘要：<正> 据《科技开发动态》2003年第8期报导,该单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备技术,采用位向分别为(100)及(111)的两种单晶硅片为载膜衬底,通过磁控溅射沉积25～150nm厚度的纯铁膜,再将纯铁膜和在硫化温度下能产生80KPa压力所需质量的升化硫粉封装于石英管中,抽真空后密封置于加热炉中,以3℃/min的升温速率加热至400～500℃进行热硫化反应10～20h,以2℃/min的速率降温至室温。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
