作者：周慧semisouthsic外延材料产品成本外延工艺结构厚度计划生产生产技术
摘要：<正> SemiSouth实验室与Ⅱ—Ⅵ公司正协力为SiC外延晶片提供SiC衬底及外延。该项合作将Ⅱ—Ⅵ的4H—SiC衬底生产能力与SemiSouth公司运用SiC外延反应堆开发出的SiC外延材料生产技术相结合,计划生产直径为2英寸,层结构厚度达20μm并具有宽范围n—与P—型掺杂。Ⅱ—Ⅵ公司总经理Thomas Anderson说:"我们坚信,与SemiSouth公司的进一步合作将使两公司的技术得到迅速发展,并最终使产品成本降低。据他介绍,Ⅱ—Ⅵ在外延材料和器件的生产方面得到SemiSouth公司宝贵的反馈意见。这将帮助他们提高SiC衬底材料的质量.并生产出满足SemiSouth外延工艺具体要求的衬底。
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