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3栅极晶体管工艺标准

作者:刘广荣非平面日本京都工艺标准漏电电流平面型流动通道晶圆生产开发阶段制造设备驱动电流

摘要:<正> 英特尔公司在日本京都举行的"2003 symposia of VLsI Technology"会议上宣布,已成功地将非平面3栅极晶体管的栅极长度由原来的60纳米减少至30纳米。

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半导体信息

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