作者：梁婷伟; 王胜利; 王辰伟; 刘凤霞钴钛去除速率选择比主导度腐蚀电位差
摘要：研究了抛光液pH值、酒石酸钾(PTH)、双氧水(H2O2)和硅溶胶对钴插塞和钛阻挡层的去除速率及选择比的影响,并讨论了前3种因素与钴和钛电偶腐蚀的变化关系。采用正交抛光实验探讨了各因素对钴和钛抛光速率的主导度,利用塔菲尔曲线研究了各因素对钴和钛腐蚀电位差的影响趋势。结果显示,升高pH值(由8到10)可大幅降低钴的去除速率至27.7 nm/min,而对于钛的去除速率无明显影响;PTH的引入可同时提高钴与钛的去除速率,并降低二者腐蚀电位差;H2O2的增加可有效降低钴的去除速率而同时增大钛的去除速率。因此,升高pH值有利于实现钴和钛的去除速率一致性;固定pH值而改变PTH和H2O2体积分数可实现钴与钛的去除速率及选择比可控。
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