作者：王强文; 郭育华异质结电阻变换铁电场效应极化翻转势垒调控
摘要：研究了Nd∶BiFeO3（NBFO）/Nb∶SrTiO3（NSTO）异质结构的电阻变换效应并讨论其铁电阻变换机理。利用脉冲激光沉积（PLD）法在NSTO单晶衬底上生长了NBFO薄膜,并构筑了Pt/NBFO/NSTO异质结构。该异质结器件在电压脉冲扫描下显示出双极性的电阻变换效应,并且具有长时间的数据保持能力。且改变脉冲电压的大小可获得多级电阻态,在多级非易失性存储器方面有着较高的潜在应用价值。对其电输运特性的分析表明,该异质结电阻变换可能来源于NBFO的铁电场效应作用,从而改变NBFO/NSTO异质结的耗尽层宽度和势垒高度以实现电阻变换。
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