作者：贾英茜; 李丽; 李宏军; 高彦彦fbar滤波器频率温度系数温度补偿二氧化硅窄带
摘要：研制了一种以SiO2材料作为温度补偿层的S波段温度补偿型薄膜体声波谐振器（FBAR）窄带滤波器。研究了SiO2层厚度对FBAR温度漂移特性的影响,对不同厚度SiO2层时的温度补偿特性进行了仿真。仿真结果表明,当Mo/Al N/Mo的厚度为0.15,1.35和0.15μm,SiO2层的厚度为10 nm时,FBAR的频率温度系数（TCF）约为3×10^-6）/℃。采用MEMS工艺制备了温度补偿型FBAR滤波器芯片并进行了测试。测试结果表明,滤波器的中心频率为2 492 MHz,中心插损为3.74 dB,3 dB带宽为17 MHz,相对带宽为0.68%,在2 477和2 507 MHz处阻带抑制分别为27.44和33.81 dBc。在三温（常温25℃、高温85℃、低温-55℃）对该滤波器的S参数进行了测试,计算得出频率温度系数为5×10~^-6/℃。与未加入温度补偿层的传统滤波器相比,频率温度系数改善明显。
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