作者：许晓燕; 陈文杰; 刘兴龙预非晶化激光退火共注入硼扩散超浅结
摘要：针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜（TEM）,二次离子质谱（SIMS）,扩展电阻法（SRP）等测试对超浅结特性进行评估。结果表明,采用激光退火和碳共注入的方式可有效抑制硼扩散和减小结深。锗预非晶化后5 ke V,1×10^15/cm^2条件下注入的硼在激光退火（波长532 nm、脉冲宽度小于20 ns、能量密度0.25 J/cm^2）中的再扩散量非常小,退火后结深较注入结深仅增加6 nm,但激活率仅为24%。相同的硼掺杂条件下采用碳的共注入,常规快速热退火下的结深较未注碳样品减小49%,而且实现了84%的硼激活率。在单项实验基础上,进一步将预非晶化和碳共注入技术应用于纳米尺度器件制作,实验制备了亚50 nm PMOS器件,器件在Vdd=-1.2 V时的电流开关比大于104,亚阈值斜率为100 mV/dec,漏致势垒降低（DIBL）值为104 mV/V。
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