作者：秦龙 刘英坤 杨勇 邓建国欧姆接触nipt和tipt碳空位比接触电阻
摘要：研究了Ni／Pt和Ti／Pt金属在n型4H—SiC上的欧姆接触。在1020oC退火后，Ni／Pt与n型4H—SiC欧姆接触的比接触电阻为2．2×10^-6Ω·cm2。Ti／Pt与n型4H—SiC欧姆接触的比接触电阻为5．4×10^-6Ω·cm2，退火温度为1050℃。虽然Ni的功函数比Ti的功函数高，但是Ni比Ti更容易与n型4H—SiC形成欧姆接触。使用能谱分析仪（EDX）分析了Ni／Pt和Ti／Pt金属与4H—SiC接触面的元素，观察到C原子相对于Pt原子的原子数分数随退火温度的变化而不同。实验验证了在n型4H—SiC中退火导致的碳空位起施主作用是有利于欧姆接触形成的主要原因。
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