作者：张效玮 贾科进 房玉龙 冯志红 赵正平inalnganalgan双异质结附加功率效率碳功率增益截止频率最高振荡频率
摘要：InAlN／GaN／AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性，适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法，在SiC衬底上生长高性能InAlN／GaN／AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0．2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明，在栅压＋2V时器件的最大电流密度为1．12A／mm，直流偏置条件“。为＋15V和VGS为-1．6V时，最高输出功率密度为2．1W／mm，29GHz下实现功率附加效率（ηPAE）为22．3％，截止频率^达到60GHz，最高振荡频率fmax为105GHz。就功率密度和功率附加效率而言，是目前报道的Ka波段InAlN／GaN／A1GaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果，也说明了InAlN／GaN／AlGaN双异质结材料良好的应用前景
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