作者：刘志军 陈凤霞 高学邦 崔玉兴 吴洪江增强耗尽型均方根衰减误差ttl数控衰减器赝配高电子迁移率晶体管
摘要：在GaAs衬底上集成增强／耗尽型数字驱动器和数控衰减器，实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现，具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12GHz6bit数控衰减器，内置6位并行驱动电路，控制端减少为6个，晶体管一晶体管逻辑电路（TTL）电平控制，并行输入控制信号。电路测试结果为：插入损耗≤4．5dB，开关时间≤15ns，输入输出驻波比≤1．4：1，均方根衰减误差（全态）≤0．7dB，静态功耗为2．0mA@-5V，芯片尺寸为2．6mm×1．6mm×0．1mm。在GaAsPHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成，控制电平兼容应用系统电平，应用更简单，可靠性更高。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
