作者：张亚楼 蒋葳 刘云飞 许静 尹海洲空穴迁移率晶面沟道方向有效电场
摘要：近年来，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸减小并进入纳米尺度，为了改善器件的短沟道效应，器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中，沟道由不同于传统Si（100）晶面的Si晶面所组成。因此，为了了解不同Si晶面上器件反型层空穴迁移率的变化情况，在不同晶面Si衬底上分别制作了pMOSFET，并研究了器件的空穴迁移率。采用SplitC-V方法测试了Si（100），（110），（111）和（112）晶面上器件的空穴迁移率。结果表明，Si（110）晶面上的空穴迁移率最大，Si（112）晶面上〈111〉沟道方向空穴迁移率比（110）晶面上空穴迁移率小，而略大于（100）和（111）晶面上的空穴迁移率，（100）晶面上的空穴迁移率最小。
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